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二硫化鉬，這個(gè)超薄金屬、硫化物，擁有令人驚嘆的電子特性，或?qū)⒊蔀槭┯辛Φ奶魬?zhàn)者。
在摩爾定律在使用硅遇到無法逾越的障礙時(shí)，科學(xué)家們希望能通過二維材料，如石墨烯或二硫化鉬等來幫助摩爾定律繼續(xù)快速發(fā)展。現(xiàn)在，科學(xué)家們利用二硫化鉬制作的原型處理器消耗大約60毫瓦，包含115個(gè)晶體管。它的設(shè)計(jì)者希望還能集成更多。維也納大學(xué)（VUT）的研究人員開發(fā)的3個(gè)原子厚度的芯片，可能是第一個(gè)二維材料的實(shí)例。
以前，由二維材料制造的芯片，上面集成的晶體管數(shù)量保持在個(gè)位數(shù)，而VUT大學(xué)的Thomas Müller?和他的同事創(chuàng)造性的達(dá)到了115個(gè)晶體管。他們將其成果發(fā)布在了4月11日《自然》雜志上。
該微型芯片可以執(zhí)行用戶定義的、存儲(chǔ)在外部存儲(chǔ)器中程序，執(zhí)行邏輯操作，并將數(shù)據(jù)傳送給外設(shè)。雖然這個(gè)原型運(yùn)行在single-bit的數(shù)據(jù)，但研究人員說他們的設(shè)計(jì)很容易用于multibit數(shù)據(jù)。
他們還指出他們的發(fā)明是兼容現(xiàn)有的半導(dǎo)體制造工藝。該芯片由二硫化鉬的薄膜制成，類似于一層鉬原子夾在兩層硫原子之間。這個(gè)薄膜只有0.6納米厚。相比之下，硅芯片層的厚度約100納米。
那么，二硫化鉬的摩爾定律是什么呢?
VUT的原型產(chǎn)品最小尺寸是2微米。然而，Müller說：“做到200納米或100納米晶體管的管道長度應(yīng)該是相當(dāng)簡(jiǎn)單的。”
他補(bǔ)充說，隨著這些電路中電觸點(diǎn)的質(zhì)量改善，最終應(yīng)該能做出1納米的二維晶體管。Müller說：“這個(gè)數(shù)字用硅是沒法實(shí)現(xiàn)，硅的極限應(yīng)該是5納米。”
用二硫化鉬制造更復(fù)雜的微型芯片，其主要障礙是制造。目前，Müller團(tuán)隊(duì)的全功能芯片的良率只有百分之幾。（2017年6月26日星期三轉(zhuǎn)載自http://www.sohu.com/a/146168183_760454）
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